در این مقاله روش جدیدی برای دست یابی به محدوده بازده-بالای وسیع در تقویت کننده دوهرتی ارائه شده است. این تقویت کننده دوهرتی تنها از یک تقویت کننده اصلی و یک تقویت کننده کمکی استفاده می کند. به منظور افزایش محدوده بازده-بالای این تقویت کننده، دو ترانزیستور ناهمسان با تطبیق هارمونیکی تقویت کننده کلاس F با ساختار بار ترکیبی مختلط به عنوان تقویت کننده های اصلی و کمکی به کار گرفته شده اند. برای تأیید طرح ارائه شده، یک تقویت کننده توان دوهرتی با محدوده دینامیکی dB12 برای کاربرد WCDMA طراحی و ساخته شده است. نتایج اندازه گیری سیگنال بزرگ، بهره توان در حدود dB9/10 با بازدهی درین در حدود 66 % در محدوده بازده-بالای خروجی dB 12 را نشان می دهد. ارزیابی سیگنال دوفرکانسه نشان می دهد که اعوجاج مدولاسیون داخلی مرتبه سوم کمتر از dBc 5/21-است. همچنین، اندازه گیری موج مدوله شده بازدهی متوسط درین 5/56 % را نشان می دهد و نرخ توان نشتی کانال مجاور در توان خروجی dBm 5/31 در حدود dBc 26-است.

مدار کنترل هارمونیک در تقویت کننده کلاس F یکی از مهمترین بخش های مدار می باشد که علاوه بر عبور فرکانس اصلی تقویت کننده می بایست هارمونیک های زوج را عبور دهد و هارمونیک های فرد را حذف کند. به صورت متداول برای حذف هارمونیک های فرد استاب های انتها بازی با طول بسیار بلند متناسب با شماره هارمونیک به مدار اضافه می شود که سایز بسیار بزرگی دارند و باعث افزایش سایز تقویت کننده می گردد. در این مدار با استفاده از خاصیت کوپلینگ و خطوط انتها باز خم شده یک مدار تطبیق بسیار فشرده برای فرکانس مرکزی یک گیگاهرتز طراحی شده است. مدار پیشنهادی در فرکانس مرکزی یک گیگاهرتز تلفات عبوری کمتر از 0.1 دسیبل دارد و همچنین هارمونیک دوم را نیز در فرکانس 2 گیگاهرتز به خوبی عبور می دهد و تلفات عبوری آن نیز کمتر از 0.1 دسیبل می باشد. مدار تطبیق طراحی شده هارمونیک سوم را در فرکانس سه گیگاهرتز با سطح تضعیف بیشتر از 35 دسیبل تضعیف می کند و همچنین هارمونیک چهارم را در فرکانس چهار گیگاهرتز به خوبی با تلفات عبوری کمتر از 0.1 دسیبل عبور می­دهد. این عملکرد مناسب با سایز بسیار کوچک مدار تطبیق فوق را به عنوان گزینه بسیار مناسب در تقویت کننده های کلاس F مطرح می کند.

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت کننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با dB12/76 است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودی dBm30 است. در بیشترین توان خروجی، PAE حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.

در این مقاله یک تقویت کننده ی کلاس-D به منظور راه اندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایه ی تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویت کننده ارائه شده علاوه بر تأمین توان و ولتاژ سطح بالا، به منظور جداسازی و کاهش اعوجاج از یک مبدل مستقیم-به-مستقیم جدای حلقه بسته بهره می برد. استفاده از مبدل منزوی علاوه بر جداسازی تقویت کننده از باتری، باعث می شود که دیگر مدارات متصل به باتری از اعوجاج تقویت کننده در امان بمانند. طبقه ی تقویت کننده کلاس-D از یک مبدل AC/DC تمام پل حلقه بسته جهت افزایش بهره و خروجی با اعوجاج کم بهره می برد. خروجی تقویت کننده کلاس-D کاملاً خطی بوده و بوسیله یک فیلتر میان گذرL-C، اعوجاج هارمونیکی کل ولتاژ خروجی به کمتر از 9/0 درصد کاهش یافته است. تقویت کننده موردنظر به طور دقیق در مدهای مختلف بررسی و عملکرد آن در شرایط مختلف کاری شبیه سازی و مورد ارزیابی قرار گرفته است. جداسازی الکتریکی از منبع تغذیه، خطی بودن ولتاژ خروجی، سرعت پاسخ دهی بالا و پهنای فرکانسی مناسب از جمله مزیت های این تقویت کننده می باشد.

هدف از ارایه این مقاله، بررسی اثر پارامترهای مختلف تقویت کننده های رینگ و استرینگر بر روی بار کمانش پوسته استوانه ای کامپوزیتی می باشد. ماده کامپوزیت مورد استفاده لیمنیت و روش به دست آوردن معادلات پوسته، روش انرژی و اصل مینیمم انرژی پتانسیل می باشد. همچنین معادلات پوسته بر مبنای تئوری تغییر شکل برشی مرتبه اول پوسته ها نوشته شده اند و شرایط مرزی پوسته به صورت دو سر ساده فرض شده اند. تقویت کننده های رینگ و استرینگر به صورت المان های مجزا از پوسته مدل شده و سپس اثر ترم های مختلف با استفاده از معادلات پیوستگی بین پوسته و تقویت کننده ها به هم مربوط شده اند. اثر پارامترهای مختلفی از جمله تعداد تقویت کننده های رینگ و استرینگر، پارامترهای هندسی تقویت کننده ها و نحوه چیدمان آنها مورد بررسی قرار گرفته است و نمودارهای مربوطه ترسیم شده اند. همچنین برای در نظر گرفتن همزمان پارامترهای موثر بر بار کمانش، هر کدام از پارامترها به عنوان یک متغیر طراحی در نظر گرفته شده اند و بهینه سازی با فرض ثابت بودن وزن در دو حالت پوسته بدون تقویت کننده و پوسته تقویت شده، با روش الگوریتم ژنتیک انجام گرفته است. در پایان نتایج حاصل شده ارایه گردیده است.

در این مقاله یک تقویت کننده توان کلاس E/F5 با فرکانس کاری 1MHz طراحی و آنالیز شده است. در ساختار تقویت کننده از یک خازن موازی با بار در خروجی تقویت کننده استفاده شده که این تکنیک کمک فراوانی به بهبود عملکرد تقویت کننده کرده است. از جمله می توان به افزایش ولتاژ خروجی، فرکانس کاری بالاتر و کاهش ولتاژ سوییچ اشاره کرد. در این تقویت کننده از ترانزیستور IRF510 به عنوان سوییچ، و از مدل داخلی نرم افزار Pspice برای شبیه سازی استفاده شده است. مدار طراحی شده به صورت تیوری آنالیز شده است که نتایج شبیه سازی حاصله، تحلیل ریاضی را تایید می کند. در تقویت کننده پیشنهادی شرایط ZVS (ولتاژ صفر در لحظه ی سوییچ زنی) و ZDS (مشتق ولتاژ صفر در لحظه ی سوییچ زنی) کاملا رعایت شده است. نتایج نشان می دهند که مقدار پارامترهای توان خروجی 30 W و راندمان مدار 92. 8% برای تقویت کننده پیشنهادی بدست آمده و نسبت ولتاژ سوییچ به ولتاژ DC مقدار 2. 8 بهبود یافته است. مدار طراحی شده با توجه به راندمان و مشخصات بهینه می تواند در معکوس کننده های منابع ولتاژ در خودروهای نظامی به کار گرفته شود.

استفاده از تجهیزات رادیویی یکپارچه هوشمند با کارایی بالا یکی ازالزامات پلیس هوشمند است و در این راستا لازم است در طراحی بخش های مختلف فرستنده و گیرنده رادیویی الزامات عملیاتی مد نظر قرار گیرد. در بخش فرستنده، تقویت کننده توان بخشی است که ویژگی هایی همچون توان مصرفی، توان خروجی و بازده افزوده مطلوب از جمله موارد قابل توجه در طراحی است. این مقاله به طراحی تقویت کننده توان (PA) کلاس E با راندمان بالا برای ارتباطات رادیویی می پردازد. بدین منظور از ساختار کسکود که متشکل از یک تقویت کننده به عنوان سوئیچ جهت تقویت سیگنال و یک تقویت کننده برای افزایش قابلیت اطمینان استفاده شده است. در این مدار یک ترانزیستور در ناحیه ترایود به عنوان سوئیچ و ترانزیستور دیگر در ناحیه ترایود یا اشباع قرار می گیرند. در این مقاله یک تقویت کننده توان کلاس E به صورت کسکود با یک مدار راه انداز و یک مدار جبران ساز برای افزایش توان خروجی و بازده توان افزوده پیشنهاد شده است. مدل ارائه شده در این مقاله در تکنولـوژی CMOS nm 180 بـرای سیستم های LTE مناسب است. در این مقاله تـوان خروجـی و بـازده افزوده تقویت کننده توان مورد نظر توسط تغییر ساختار آن بهبود یافته است. تقویت کننده توان مـورد نظـر دارای فرکـانس کاریGHz 6/2، توان خروجی dBm4/31، حداکثر بازده افزوده 5/55% می باشد. مدارهای طراحی شده با نرم افـزار کیدنس شبیه-سازی شده است.

در سال های اخیر روش های طراحی بر مبنای پارامترهای X معرفی شده اند. یکی از این الگوریتم ها، امپدانس بار بهینه ای را تعیین می کند که به ازای آن توان خروجی بیشینه می شود. این الگوریتم از یک روند تکرارشونده استفاده می کند. ضریب وزنی، سرعت همگرایی این الگوریتم را تعیین می کند. با انتخاب نامناسب این ضریب وزنی ممکن است الگوریتم کند و یا ناپایدار شود. در این مقاله یک روش وزن دهی کاهشی و یک روش وزن دهی تطبیقی برای سرعت بخشیدن به همگرایی و جلوگیری از ناپایداری ارایه می شوند. با کاربرد این روش ها در تقویت کننده های مختلف، کارایی آن ها در مقایسه با وزن دهی ثابت بررسی می شود. با توجه به نتایج، دو روش پیشنهادی سرعت همگرایی بیشتری نسبت به حالت وزن دهی ثابت دارند. این روش ها با یکدیگر مقایسه شده اند. در نهایت الگوریتم وزن تطبیقی با کمترین مراحل تکرار به عنوان روش بهینه انتخاب شده است. هر دو روش پیشنهادی در همه موارد پایدار هستند.